专利名称：成膜方法和成膜装置专利类型：发明专利
发明人：松本贤治,伊藤仁,根石浩司,小池淳一申请号：CN201110272097.8申请日：20080602公开号：CN102306627A公开日：20120104
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含CuMn合金膜薄膜。
申请人：东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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