专利名称：场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法专利类型：发明专利发明人：B·J·帕夫拉克
申请号：CN200580008421.8申请日：20050308公开号：CN1934686A公开日：20070321
摘要：本发明涉及场效应晶体管的制造方法，该方法中，在硅半导体本体(1)的表面提供：第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，这两个区域都被提供有延伸(2A，3A)；位于沟道区(4)之上的栅极区域(5)，其中通过相反导电类型的掺杂剂的两次注入(I，I)，形成延伸(2A，3A)和沟道区(4)的相邻部分(4A)之间的pn结，且其中在所述相反导电类型的掺杂剂的两次注入(I，I)之前，在要形成pn结的地方执行非晶化注入(I)。非晶化注入(I)和所述两次掺杂剂注入(I，I)都在形成栅极区域(5)之前且以与半导体本体(1)表面基本成90度的角度实施。这样，形成的pn结的最相关部分，即，垂直于表面延伸的垂直部分，不仅十分陡峭和突变，而且因为不存在掺杂剂缺陷而具有极低的泄漏电流。优选地，低温退火用于再生长晶体硅。
申请人：皇家飞利浦电子股份有限公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
国籍：NL
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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