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一种简易的信号锁存电路[实用新型专利]

2021-10-14 来源:爱go旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号 CN 206820736 U(45)授权公告日 2017.12.29

(21)申请号 201720704286.0(22)申请日 2017.06.16

(73)专利权人 上海施能电器设备有限公司

地址 201316 上海市浦东新区航头镇航鸣

路22号(72)发明人 夏志超 陈波 

(74)专利代理机构 上海天翔知识产权代理有限

公司 31224

代理人 吕伴(51)Int.Cl.

H03K 19/0175(2006.01)

权利要求书1页 说明书3页 附图1页

(54)实用新型名称

一种简易的信号锁存电路(57)摘要

本实用新型公开了一种简易的信号锁存电路,其特征在于,包括光耦、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻;所述光耦包括发光二极管和利用将发光二极管发出的光信号转换成电信号的光敏三极管。本实用新型无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,扩大了信号锁存电路的应用范围,整体体积较小,适用于对空间要求较高的环境。

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权 利 要 求 书

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1.一种简易的信号锁存电路,其特征在于,包括光耦、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻;

所述光耦包括发光二极管和利用将发光二极管发出的光信号转换成电信号的光敏三极管;

所述发光二极管的正极与第五电阻的一端相连接,所述第五电阻的另一端与电源电压的正极相连接,所述发光二极管的负极分别与第三电阻的一端和第二三极管的发射极相连接,所述第三电阻的另一端分别与第二电阻的一端和第二三极管的基极相连接,所述第二三极管的集电极分别与第四电阻的一端、第一电阻的一端以及第一三极管的基极相连接,所述第一电阻的另一端、第四电阻的另一端以及第一三极管的发射极均接地,所述第二电阻的另一端与第一三极管的集电极相连接;

所述光敏三极管的集电极与第六电阻的一端相连接,所述第六电阻的另一端与工作电压相连接,所述光敏三极管的发射极接地,在所述光敏三极管与第六电阻的一端之间设有电路的输出端。

2.如权利要求1所述的一种简易的信号锁存电路,其特征在于:该信号锁存电路还包括第一电容和第二电容,所述第一电容的一端分别与第四电阻的一端、第一三极管的基极以及第二三极管的集电极相连接,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端分别与第二三极管的发射极、第三电阻的一端以及发光二极管的负极相连接,所述第二电容的另一端分别与第二三极管的基极、第三电阻的另一端以及第二电阻的一端相连接。

3.如权利要求1所述的一种简易的信号锁存电路,其特征在于:所述第一三极管为NPN型三极管,所述第二三极管为PNP型三极管。

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说 明 书

一种简易的信号锁存电路

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技术领域

[0001]本实用新型涉及信号锁存电路技术领域,特别涉及到一种简易的信号锁存电路。背景技术

[0002]在电子电路应用环境中,经常需要将一些检测到的或控制后级电路的逻辑电平信号状态锁存起来,待完成相关操作后,再解除该信号的锁存动作。[0003]目前,有很多集成电路可以实现这种锁存功能。但是,这些集成电路一般采用低电压工艺设计,而且需要低压电源供电才能正常工作,限制了它的应用范围;另外,这些集成电路集成度较高,往往集成多个锁存电路,从而使信号锁存电路的整体体积庞大,不适于对空间要求较高的环境,限制了信号锁存电路的使用环境。[0004]然而针对现有技术的不足,研发者有必要研制一种设计合理、结构简单、无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,扩大了信号锁存电路的应用范围,整体体积较小,适用于对空间要求较高的环境的简易的信号锁存电路。

实用新型内容

[0005]为解决现有技术存在的问题,本实用新型目的提供了一种设计合理、结构简单、无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,扩大了信号锁存电路的应用范围,整体体积较小,适用于对空间要求较高的环境的简易的信号锁存电路。

[0006]为解决以上技术问题,本实用新型采用以下技术方案来实现的:[0007]一种简易的信号锁存电路,其特征在于,包括光耦、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻;

[0008]所述光耦包括发光二极管和利用将发光二极管发出的光信号转换成电信号的光敏三极管;

[0009]所述发光二极管的正极与第五电阻的一端相连接,所述第五电阻的另一端与电源电压的正极相连接,所述发光二极管的负极分别与第三电阻的一端和第二三极管的发射极相连接,所述第三电阻的另一端分别与第二电阻的一端和第二三极管的基极相连接,所述第二三极管的集电极分别与第四电阻的一端、第一电阻的一端以及第一三极管的基极相连接,所述第一电阻的另一端、第四电阻的另一端以及第一三极管的发射极均接地,所述第二电阻的另一端与第一三极管的集电极相连接;

[0010]所述光敏三极管的集电极与第六电阻的一端相连接,所述第六电阻的另一端与工作电压相连接,所述光敏三极管的发射极接地,在所述光敏三极管与第六电阻的一端之间设有电路的输出端。

[0011]在本实用新型的一个优选实施例中,该信号锁存电路还包括第一电容和第二电容,所述第一电容的一端分别与第四电阻的一端、第一三极管的基极以及第二三极管的集

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说 明 书

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电极相连接,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端分别与第二三极管的发射极、第三电阻的一端以及发光二极管的负极相连接,所述第二电容的另一端分别与第二三极管的基极、第三电阻的另一端以及第二电阻的一端相连接。[0012]在本实用新型的一个优选实施例中,所述第一三极管为NPN型三极管,所述第二三极管为PNP型三极管。

[0013]与现有技术相比,本实用新型采用上述结构无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,不但扩大了信号锁存电路的应用范围,并且减小了信号锁存电路整体的体积,适用于对空间要求较高的环境。附图说明

[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。[0015]图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

[0016]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。[0017]参照图1所示,图中给出的一种简易的信号锁存电路,包括光耦U1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6,在本实施例中第一三极管Q1为NPN型三极管,第二三极管Q2为PNP型三极管。

[0018]光耦U1包括发光二极管和利用将发光二极管发出的光信号转换成电信号的光敏三极管。

[0019]发光二极管的正极与第五电阻R5的一端相连接,第五电阻R5的另一端与电源电压VCC的正极相连接,发光二极管的负极分别与第三电阻R3的一端和第二三极管Q2的发射极相连接,第三电阻R3的另一端分别与第二电阻R2的一端和第二三极管Q2的基极相连接,第二三极管Q2的集电极分别与第四电阻R4 的一端、第一电阻R1的一端以及第一三极管Q1的基极相连接,第一电阻R1的另一端、第四电阻R4的另一端以及第一三极管Q1的发射极均接地GND,第二电阻R2的另一端与第一三极管Q1的集电极相连接。[0020]光敏三极管的集电极与第六电阻R6的一端相连接,第六电阻R6的另一端与工作电压VDD相连接,光敏三极管的发射极接地,在光敏三极管与第六电阻 R6的一端之间设有电路的输出端。

[0021]该信号锁存电路还包括第一电容C1和第二电容C2,第一电容C1的一端分别与第四电阻R4的一端、第一三极管Q1的基极以及第二三极管Q2的集电极相连接,第一电容C1的另一端接地,第二电容C2的一端分别与第二三极管Q2的发射极、第三电阻R3的一端以及发光二极管的负极相连接,第二电容R2的另一端分别与第二三极管Q2的基极、第三电阻R3的另一端以及第二电阻R2的一端相连接。

[0022]第一电容C1与第二电容C2的设置能够有效的防止第一三极管Q1和第二三极管Q2

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说 明 书

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在瞬间通时因的漏电流而被误认为导通的情况;另一个,调节第一电容C1与第二电容C2的容量大小能够改变信号锁存的速度。[0023]本实用新型的工作原理如下:

[0024]当输入信号V1由低电平变为高电平时,第一三极管Q1导通,从而使第二三极管Q2也导通,同时光耦U1也导通,此时第一三极管Q1与第二三极管Q2之间形成正反馈,使第一三极管Q1与第二三极管Q2一直处于导通的状态,而光耦U1也一直处于导通状态,从而使输出端的输出信号OUT保持低电平,在此种过程中无论输出信号V1电平状态再如何变化,输出信号OUT均维持低电平,只有当电源电压VCC断开时,输出端的输出信号OUT才会恢复到高电平。

[0025]综上所述本实用新型采用上述结构无论输入信号由低电平变为高电平还是由高电平变为低电平,始终使输出信号保持低电平,不但扩大了信号锁存电路的应用范围,并且减小了信号锁存电路整体的体积,适用于对空间要求较高的环境。[0026]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

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说 明 书 附 图

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图1

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