（12）发明专利申请
（21）申请号 CN03822808.4 （22）申请日 2003.09.18 （71）申请人 硅电子股份公司
地址 德国慕尼黑
（10）申请公布号 CN1685478A （43）申请公布日 2005.10.19
（72）发明人 李金星;欧文勤
（74）专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
代理人 王英
（51）Int.CI
H01L21/22;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
用于晶圆的两层LTO背面密封
（57）摘要
本发明提供一种用于晶圆的两层LTO背面
密封。这两层LTO背面密封包括具有第一主面和第二主面的低应力LTO层，该低应力LTO层的第一主面与该晶圆的一个主面相邻。所述两层LTO背面密封进一步包括具有第一主面和第二主面的高应力LTO层，该高应力LTO层的第一主面与该低应力LTO层的第二主面相邻。
法律状态
法律状态公告日
2005-10-19 2005-12-14 2008-08-06
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
用于晶圆的两层LTO背面密封的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
用于晶圆的两层LTO背面密封的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容