专利名称：一种缺陷确定方法、装置及存储介质专利类型：发明专利
发明人：冯星,冯鹏,胡岩,袁洪光,张科,张永超,束青,金春凤,韩
明昆,刘备,孙晓峰,王勇
申请号：CN201811413017.4申请日：20181123公开号：CN109580632A公开日：20190405
摘要：本发明实施例提供了一种缺陷确定方法、装置及存储介质，缺陷确定方法包括：获取待检测样品经过第一工艺后目标区域所对应的第一灰阶值和比较区域所对应的第二灰阶值；获取待检测样品经过第二工艺后目标区域所对应的第三灰阶值和比较区域所对应的第四灰阶值，第二工艺为第一工艺的下一道工艺；根据第一灰阶值、第二灰阶值、第三灰阶值和第四灰阶值，确定目标区域是否为缺陷区域。通过本发明实施例的缺陷确定方法可以去除前层工艺图形对现工艺的待检测样品的灰阶值的影响，使灰阶差值波动范围降低，能够实现在更严格的阈值条件下，将缺陷区域的误判率被控制在可接受范围，从而提高AOI设备准确度和检出率，并能够更加精确地计算缺陷区域大小。
申请人：京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
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