专利名称：非易失性半导体存储器及其程序验证方法专利类型：发明专利发明人：蛇岛浩史申请号：CN99110832.9申请日：19990722公开号：CN1243318A公开日：20000202
摘要：一种非易失性半导体存储器,包括存储单元阵列(1)、比较部分70和多个写电路(800至815)。比较部分把从存储单元阵列读出的包括多个第一位数据(Dm0至Dm15)的读出数据,与包括多个第二位数据(Dr0至Dr15)的期望值以位为单位进行比较,输出表示比较结果的判断信号(J0至J15);多个写电路把多个第二位数据的各数据写入存储单元阵列的一部分中,多个写电路被分别激活,其被激活的数量根据判断信号而变化。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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