专利名称：制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方
法
专利类型：发明专利发明人：安荷·叭剌
申请号：CN201110436059.1申请日：20111216公开号：CN102569297A公开日：20120711
摘要：本发明提出了一种制备准谐振变换器的结构及方法，包括在半导体衬底上形成的半导体功率器件，该半导体功率器件还包括一个在半导体衬底外围附近的通道终止区，其中通道终止区还包括一个二极管的外围端，对应与外围端水平相对的二极管另一端，设置在半导体功率器件的有源区上。在本发明的一个实施例中，半导体功率器件是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
申请人：万国半导体股份有限公司
地址：美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
国籍：US
代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)
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