专利名称：635纳米的窄带滤光片专利类型：实用新型专利
发明人：王卫国,其他发明人请求不公开姓名申请号：CN201520551992.7申请日：20150728公开号：CN204855848U公开日：20151209
摘要：本实用新型公开一种635纳米的窄带滤光片，其特征为：在基板两个表面上分别沉积多层薄膜，第一膜系为多个沉积的SiO2层和TiO2层交替而成，共计24层；第二膜系也是为多个沉积的SiO2层和TiO2层交替而成，共计68层。本实用新型提供成本低、特性良好、截止区域内截止深度小于3OD，透过率大于90%，具有良好信噪比，满足高精度的激光测距仪的苛刻需要。
申请人：王卫国
地址：425100 湖南省永州市零陵区七里店办事处虎啸东路1号
国籍：CN
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