基于专利分析的极紫外光刻现状研究
作 者：周婧博
作者机构：天津市科学技术信息研究所,天津300074
出 版 物：科技和产业
年 卷 期：2017年 第11期
摘 要：基于极紫外光刻技术相关领域的全球和中国专利数据,从专利申请数量、布局情况、主要申请人等多个方面进行综合性分析,以期对业内机构进行研发工作和政府产业布局有所帮助。
页 码：62-66页
主 题 词：极紫外光刻 专利分析 IC行业
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