模拟电路第一章课后习题答案

◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：

二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

本题的意图是掌握二极管的单向导电性。

◇ 习题 1-2假设一个二极管在500C时的反向电流为10μA，试问它在200C和800C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高100C,反向电流大致增加一倍。 解：

在20OC时反向电流约为210A1.25A 在80OC时反向电流约为210A80A

33本题的意图是通过估算，理解二极管的反向电流将随温度的升高而急剧增大。

◇ 习题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示：

① 如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少？

② 如将图P1-3(b)中的1.5V电压改为3V，则二极管的电流和电压各为多少？ 提示：可用图解法。

解：

① 电源电压为1.5V时，I=0.8mA, U=0.7V； ② 电源电压为2.2V时, I=2.2mA，U=0.8V。 图解结果见下图：

经过观察可进一步得出结论：当二极管工作在正向特性区时，如电源电压增大，二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。

本题的主要意图是加深对二极管伏安特性的理解，并练习用图解法估算二极管的电流和电压。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sinωt(V)，RL＝1kΩ，试对应地画出二极管的电流iD、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解：

波形见图。

本题的意图是通过画波形图，理解二极管的单向导电性。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流IZ、动态内阻rZ以及温度系数au等各项参数，大一些好还是小一些好？ 解：

动态内阻rZ愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流IZ愈大，则其动态内阻rZ愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数aU的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能

愈好。

本题的意图是掌握稳压管的主要参数对稳压性能的影响。

◇ 习题 1-6 某稳压管在温度为200C，工作电唁为5mA时，稳定电压UZ=10V，已知其动态内阻rZ＝8Ω，电压的温度系数au＝0.009%/0C，试问：

① 温度不变，工作电流改为20mA时，UZ约等于多少？

② 当工作电流仍为5mA，但温度上升至500C时，UZ约等于多少？ 解： ①

UZIZrZ(205)103A80.12V,UZ(100.12)V10.12V则

②

UZ/UZTU(5020)OC0.09%/OC2.7%,UZ10V(12.7%)10.27V则

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V，R=200Ω，RL=1 kΩ,稳压管的UZ=6V，试求：

① 稳压管中的电流IZ=?

② 当电流电压V升高到12V，IZ将变为多少？

③当V仍为10V，但RL改为2 kΩ时，IZ将变为多少？ 解：

① IZUUZUZ10V6V6V20mA6mA14mA RRL2001kUUZUZ12V6V6V30mA6mA24mA RRL2001kUUZUZ10V6V6V20mA3mA17mA RRL2002k

② IZ③ IZ本题的意图是说明当外加电压或负载电流变化时，通过调节稳压管的电流可保持稳压管两端电压基本不变。

◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V，当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。 解：

如图所示，可有3种不同的串联方法。 稳压值分别为：（a）12V

（b）6.7V （c）1.4V

本题的意图是了解两个同型号的的稳压管可采用不同的串联方法以得到不同的稳压值。

◇ 习题 1-9 一个三极管的输出特性曲线见图 P1-9：

① 试在图上求出UCE=5V，IC＝6mA处的电流放大系数β、α、β和α，并时行比较。 ② 设三极管的极限参数为ICM＝20mA，U(BR)CEO＝15V，PCM=100mW，试在图 P1-9的特性曲线上画出三极管的安全工作区。

解：

①

－－iC6150,iB0.04iC60.993 iE6.04iC93.2145,iB0.060.02iC93.20.993 iE9.063.22②三极管的安全工作区如下图所示。

本题的意图是训练在三极管的输出特性曲线上用作图的方法求上述4个电流放大系数，理解直流电流放大系数与对应的交流电流放大系数的定义不同，但数值接近。同时，训练在输出特性曲线上画出三极管的安全工作区。

◇ 习题 1-10 有两个三极管，已知第一个管子的199，则1?当该管的IB1=10μA时，其IC1和IE1各等于多少？已知第二个管子的20.95，则其2?若该管的IE2=1mA，则IC2和IB2各等于多少? 解：

11990.9911199

① IC11IB19910A990AIE1(11)IB1(199)10A1000A220.95191210.95219IE21mA0.95mA1211911IE21mA0.05mA50A12119

② IC2IB2本题的主要意图是掌握与的含义及二者之间的关系。

◇ 习题 1-11 设某三极管在20OC时的反向饱和电流ICBO1A,30；试估算该管在50OC时

的ICBO和穿透电流ICEO大致等于多少。已知每当温度升高10OC时，ICBO大约增加一倍，而每当温度升高1OC时，大约增大1％。 解：

20OC时，ICEO(1)ICBO(130)1A31A；

ICBO8A, 50OC时，303030%39

ICEO(1)ICBO(139)8A320A 本题的意图时理解当温度升高时三极管的ICBO将急剧增大，也将增大，因而ICEO将更为急剧增大。

◇ 习题 1-12 一个实际的PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线图P1－12(a)和(b)所示。 ① 查看该三极管的穿透电流ICEO约为多大，输入特性的死区电压约为多大。 ② 为了使PNP型三极管工作在放大区，其uBE和uCE的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN型三极管作比较。 解：

① 由图可见，该PNP三极管的约为0.4mA，死区电压约为-0.2V。

② 无论NPN或PNP三极管，工作在放大区的外部直流偏置条件均为发射结正向偏置，急电结反向偏置。而对PNP三极管来说，应为uBE<0，uBC>0。

本题的意图是了解PNP三极管的特性曲线，以及PNP三极管工作在放大区的条件。

◇ 习题 1-13 测得某电路中几个三极管的各极电位如图P1－13所示，试判断各三极管分别工作在截止区，放大区还是饱和区？ 解：

(a) 在图(a)中，UBE=0.7V，UBC=－4.3V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (b) 在图(b)中，UBE=－10V，UBC=－10V，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 (c) 在图(c)中，UBE=0.7V，UBC=－5.3V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (d) 在图(d)中，UBE=0.75V，UBC=0.45V，即发射结、集电结均正偏，故三极管工作在饱和区。 (e) 在图(e)中，UBE=0.3V，UBC=5.3V，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。 (f) 在图(f)中，UBE=－0.3V，UBC=0，即UCE=UBE，发射结正偏，集电结电压为0，故三极管工作在临界饱和状态。

(g) 在图(g)中，UBE=－0.3V，UBC=8.7V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。 (h) 在图(h)中，UBE=－0.3V，UBC=3.7V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。

本题的意图是训练根据各极电位判断三极管工作在什么区，深入理解三极管截止区、放大区和饱和区的特点。

◇ 习题 1-14 已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的β均为50,UBE≈0.7V，试分别估算各电路中三极管的IC和UCE，判断它们各自工作在哪个区(截止区、放大区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在图P1-14（g）的输出特性曲线上。

解：

2V0.7V1.3V0.065mA20k20000（a）iCiB500.065mA3.25mA

iBuCE102k3.25mA3.5V 三极管工作在放大区，见下图中的A点。

10V0.7V9.3V0.0465mA200k200000（b）iCiB500.0465 mA2.325mAiBuCE102k2.325mA5.35V 三极管工作在放大区，见下图中的B点。

10V0.7V9.3V0.465mA20k20000（c）iCiB500.465mA23.25mA

iBuCE102k23.25mA36.5V 以上计算出的iC和uCE的值是荒谬的，实质上此时三极管已工作在饱和区，故应为

10V0.7V9.3V0.465mA20k20000 iC10V/2k5mA

iBuCEUCES0.3V 见下图中C点。

（d）uBE2V,iB0,iC0,uCEVCC10V

三极管工作在截止区，见下图中D点。

（e）uBE0V,iB0,iC0,uCEVCC10V

三极管工作在截止区，见下图中E点，E点和D点基本重合。

10V0.7V9.3V0.0465mA200k200000（f）iCiB500.0465 mA2.325mAiBuCEVCC10V 三极管工作在放大区，见下图中的F点。

本题的意图是根据电路参数判断三极管工作在什么区，并在输出特性曲线上画出工作点的位置，以便形象地建立工作点地概念。

◇ 习题 1-15 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15(a)和 (b)所示，试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。

解：

（a）1－发射极e，3－基极b，2－集电极c，NPN型锗管； （b）2－发射极e，3－基极b，1－集电极c，PNP型硅管。

本题的意图是训练根据放大电路中的三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。 注意：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。

习题 1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应的漏极特性曲线如图P1-16所示，试作出UDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值，以及当UDS=15V，UGS=4V时的跨导gm。

解：

作图过程如下图所示。

由图可得 UGS(th)1.9V, gm

IDO2.2mA

iD41.2mS2.8mS uGS4.53.5本题的意图是加强对场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线的理解，并训练在场效应管的输出特性曲线上用作图法画转移特性，并求UGS(th)、IDO和gm的值。

◇ 习题 1-17 试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型)。如为耗尽型，在特性上标注出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS；如为增强型，标出其开启电压UGS(th)。

解：

（a）N沟道增强型绝缘栅场效应管。 （b）P沟道耗尽型结型场效应管。 （c）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管。 （d）P沟道增强型绝缘栅场效应管。

本题的意图是根据转移特性识别场效应管的类型，并从转移特性上指认IDSS和UGS(th)或UGS(off)。

◇ 习题 1-18 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)＝+3V，IDO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。

◇ 习题 1-19 已知一个P沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS＝－2.5mA,夹断电压UGS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。 解：

此二题的意图是根据给定的UGS(th)和IDO或UGS(off)和IDSS，示意画出场效应管的转移特性。