专利名称：化学机械抛光装置专利类型：实用新型专利发明人：金旻成,任桦爀,董慜摄申请号：CN201520770916.5申请日：20150930公开号：CN205009026U公开日：20160203
摘要：本实用新型涉及一种化学机械抛光装置，为了制作多个元件，对隔着间隔配置上述元件的晶片的抛光层进行抛光，包括：抛光平板，上述抛光平板的上表面覆盖有抛光垫并进行自转，上述抛光垫与上述晶片的上述抛光层相接触；以及光传感器，向上述晶片的抛光面照射光，从而检测上述晶片的抛光层的厚度，上述光的斑点大小的直径大于上述元件的宽度和长度中的至少一个，由此，从以扩大的面积向抛光层入射而反射的受光信号准确地检测抛光层的厚度。
申请人：K.C.科技股份有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京鸿元知识产权代理有限公司
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