专利名称：微米级芯片封装结构专利类型：实用新型专利发明人：王新潮,赖志明申请号：CN200420079909.2申请日：20040930公开号：CN2739796Y公开日：20051109
摘要：本实用新型涉及为一种微米级芯片封装结构。它是在芯片本体1一表面设有一焊垫2，焊垫2外周边及外周边以外的芯片本体1表面设置保护层3，其特点是焊垫2表面及其外周边的保护层3上依次叠加钛层4、铜层5和铜柱6，铜柱6顶端植置锡球7。本实用新型的封装结构能提高植球接合处结合力及创建一个足够的物质空间以防锡球偏离焊垫。
申请人：江阴长电先进封装有限公司
地址：214431 江苏省江阴市滨江中路275号
国籍：CN
代理机构：江阴市同盛专利事务所
代理人：唐纫兰
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