专利名称：一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管专利类型：发明专利
发明人：邹积彬,黄如,王润声,杨庚雨,艾玉洁,樊捷闻申请号：CN201110029706.7申请日：20110127公开号：CN102157557A公开日：20110817
摘要：本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：贾晓玲
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