等离子体蚀刻用硅电极板

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110415354.9 （22）申请日 2011.12.13

（71）申请人三菱综合材料株式会社

地址日本东京

（10）申请公布号 CN102623285A

（43）申请公布日 2012.08.01

（72）发明人米久孝志;高畠康太

（74）专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司

代理人陈万青

（51）Int.CI

H01J37/04; H01J37/32;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

等离子体蚀刻用硅电极板

（57）摘要

本发明提供了一种等离子体蚀刻用硅电极

板，其可抑制因等离子体蚀刻产生的表面凹凸且实现均匀的蚀刻。本发明的等离子体蚀刻用硅电极板由将B和Al作为掺杂剂添加的单晶硅构成，Al的浓度在1×10

法律状态

法律状态公告日

2012-08-01 2014-10-08

公开

法律状态信息

公开

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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