专利名称：一种熔断器及其生产方法专利类型：发明专利
发明人：陈锡庆,李向明,单小兵,杨永林申请号：CN201811221620.2申请日：20181019公开号：CN109192635A公开日：20190111
摘要：本发明公开一种熔断器，包括设有端电极的上、下绝缘层及设在上、下绝缘层之间的熔断体，所述熔断器还包括设置在所述熔断体与所述绝缘层之间的功能层，所述功能层包括基材及均匀或大致均匀地分布在所述基材中的灭弧材料，所述灭弧材料含有密闭空穴，所述基材包括低温共烧陶瓷粉、气雾氧化硅、氧化硅、惰性树脂、磷酸及磷酸酯聚酯，所述灭弧材料的含量为1~50wt%；本发明还公开了一种熔断器的生产方法；本发明提供的熔断器，克服了现有技术中熔断体在与缓冲层以及灭弧层之间因无依托在烧结过程中收缩不匹配，导致熔断体发生变形、弯曲、缺陷等现象的缺点，保证熔断体的平整性、一致性和完整性，显著提升了熔断特性及生产效率。
申请人：AEM科技(苏州)股份有限公司
地址：215026 江苏省苏州市工业园区钟南街461号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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