专利名称：高电子迁移率晶体管及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：刘美华,孙辉,林信南,陈建国申请号：CN201610178258.X申请日：20160325公开号：CN107230719A公开日：20171003
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，涉及半导体元器件技术。该高电子迁移率晶体管包括：半导体有源层、覆盖在半导体有源层上的第一介质层；穿过第一介质层，且与半导体有源层接触的源电极、漏电极、栅电极及肖特基二极管阳极，肖特基二极管阳极位于栅电极与漏电极之间；覆盖在第一介质层、源电极、漏电极、栅电极、肖特基二极管阳极上的第二介质层；穿过第二介质层，且与源电极及肖特基二极管阳极接触的场板，场板覆盖栅电极和肖特基二极管阳极。解决了现有GaN基AlGaN/GaN高迁移率晶体管反向损耗大，导致该类晶体管功耗较大的问题。
申请人：北京大学,北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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