专利名称：一种直拉硅单晶的温度控制方法专利类型：发明专利
发明人：王正远,李侨,周锐,徐战军申请号：CN201810514747.7申请日：20180525公开号：CN110528067A公开日：20191203
摘要：本发明公开一种直拉硅单晶的温度控制方法，用于硅单晶等径生长过程自动调节温度，包括步骤：确定平均晶体生长速度V并输出；设定目标晶体生长速度V，并计算平均晶体生长速度V和目标晶体生长速度V的偏差ΔV；依据ΔV，确定功率设定值Pr并输出，进而调节温度。本发明的直拉硅单晶的温度控制方法相比于现有的SP闭环控制方式具有以下优点：1、取消SP参与控制，消除了不稳定因素，提高温度控制系统的稳定性，进而更好地控制晶体直径，提高成品率，降低生产成本；2、取消热电偶，降低了设备成本；3、提高了直拉单晶炉的自动化程度。
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
地址：710100 陕西省西安市长安区航天中路388号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：钟欢
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