专利名称：用于形成了至少一个通孔的半导体结构的方法和设
备
专利类型：发明专利
发明人：B·A·科尔瓦尔,J·N·约翰逊申请号：CN200810003798.X申请日：20080123公开号：CN101232030A公开日：20080730
摘要：本发明涉及一种半导体结构，作为一个示范性实施例的半导体结构可以包括：具有一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面，并包括至少一个穿过所述半导体衬底的通孔，其中，采用导电材料填充所述至少一个通孔；以及设置在所述半导体衬底的所述前表面或后表面的至少部分上的半导体层，其中，就一种或多种所选的掺杂剂而言，所述半导体层在其深度范围内是成分递变的，并且将所述导电材料配置为将所述半导体层电连接至设置在所述衬底的表面上或者上方的至少一个正面接触。
申请人：通用电气公司
地址：美国纽约州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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